下拉法晶體生長(cháng)爐

下拉法晶體生長(cháng)爐

一·下拉法晶體生長(cháng)爐設備用途：

下拉法晶體生長(cháng)爐兼顧感應區熔及晶體生長(cháng)爐兩種功能，一種用于材料的熔化提純，一種用于材料的定向凝固。

二·下拉法晶體生長(cháng)爐設備特點(diǎn)：

    1·本設備采用立式底部升降結構，一體化設計，結構緊湊，裝卸料方便，

    2·真空爐體采用304全不銹鋼雙層腔室，承壓能力強

    3·采用下降法，既可以用于晶體生長(cháng)，也可用于金屬材料的區熔提純

     4·真空系統可選配高低真空

     5·控制過(guò)程全程自動(dòng)化，不用人為干預，

三·下拉法晶體生長(cháng)爐主要技術(shù)參數

1.加熱溫度：     1600℃

2.常用溫度：1400℃

3.功率：             15Kw±10%
3.冷態(tài)極限真空度：   ≤5Pa（可升降高真空系統）

4.坩堝尺寸：       Ф30×100mm（直徑×高 ）

5.測溫系統：         紅外（700~1600）

7.加熱方式：        高頻感應加熱

8.坩堝升降速度：    位移行程 150mm（步進(jìn)電機控制）速度：1~60mm/min

9.線(xiàn)圈升降速度：    位移行程 150mm（步進(jìn)電機控制）速度：1~60mm/min

10·爐內充氣壓力：             ≤0.03MPa

11·充氣系統：                自動(dòng)充放氣

12·控制方式：plc+觸摸屏全自動(dòng)控制